Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
Trepo
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä viite 
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Gate Tunable Coupling of Epsilon-Near-Zero and Plasmonic Modes

Ghindani, Dipa; Rashed, Alireza R.; Habib, Mohsin; Caglayan, Humeyra (2021)

 
Avaa tiedosto
Gate_Tunable_Coupling.pdf (741.6Kt)
Lataukset: 



Ghindani, Dipa
Rashed, Alireza R.
Habib, Mohsin
Caglayan, Humeyra
2021

Advanced Optical Materials
2100800
doi:10.1002/adom.202100800
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:tuni-202109147081

Kuvaus

Peer reviewed
Tiivistelmä
<p>In this work, an active tuning of the coupling strength in a strongly coupled system comprised of a thin epsilon-near-zero material and gold nanorods as plasmonic resonators is demonstrated. A novel gating scheme is developed where an ionic liquid is employed to bias the coupled system and tune the coupling in transmission mode. A significant tuning of the coupled resonance up to 30 nm is observed by changing the bias voltages from 0 to 4.5 V. This control mechanism on strong coupling opens exciting opportunities for various disruptive applications by offering advanced control and tunability on strongly coupled systems.</p>
Kokoelmat
  • TUNICRIS-julkaisut [20683]
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Selaa kokoelmaa

TekijätNimekkeetTiedekunta (2019 -)Tiedekunta (- 2018)Tutkinto-ohjelmat ja opintosuunnatAvainsanatJulkaisuajatKokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste