Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
Trepo
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä viite 
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Fabrication and Characterization of GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes

Growden, T. A.; Brown, E. R.; Berger, P. R.; Storm, D. F.; Meyer, D. J. (2020)

 
Avaa tiedosto
fabrication_and_characterization.pdf (2.749Mt)
Lataukset: 



Growden, T. A.
Brown, E. R.
Berger, P. R.
Storm, D. F.
Meyer, D. J.
2020

This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
doi:10.1007/978-3-030-20208-8_9
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:tuni-202111268724

Kuvaus

Peer reviewed
Kokoelmat
  • TUNICRIS-julkaisut [24353]
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Selaa kokoelmaa

TekijätNimekkeetTiedekunta (2019 -)Tiedekunta (- 2018)Tutkinto-ohjelmat ja opintosuunnatAvainsanatJulkaisuajatKokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste