High-temperature lasing in diode microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots

Moiseev, E. I.; Kryzhanovskaya, N. V.; Polubavkina, Yu S.; Maximov, M. V.; Kulagina, M. M.; Troshkov, S. I.; Zadiranov, Yu M.; Lipovskii, A. A.; Mukhin, I. S.; Guina, M.; Niemi, T.; Zhukov, A. E. (2016-11-23)
 
Avaa tiedosto
Lataukset: 



Moiseev, E. I.
Kryzhanovskaya, N. V.
Polubavkina, Yu S.
Maximov, M. V.
Kulagina, M. M.
Troshkov, S. I.
Zadiranov, Yu M.
Lipovskii, A. A.
Mukhin, I. S.
Guina, M.
Niemi, T.
Zhukov, A. E.
23.11.2016

Journal of Physics: Conference Series
012056
doi:10.1088/1742-6596/769/1/012056
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:tty-201701161052

Kuvaus

Peer reviewed
Tiivistelmä

We demonstrate that quantum dot microdisk lasers are able to operate under continuous wave current injection at 100 °C. We also present a novel method for increasing a side mode suppression ratio in microdisk lasers.

Kokoelmat