Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
Trepo
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä viite 
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
  •   Etusivu
  • Trepo
  • TUNICRIS-julkaisut
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Ab initio study of the energy level alignment at semiconductor/organic interface: Coadsorption of acceptor and donor ligands with organic dyes

Golovanov, Viacheslav; Golovanova, Viktoria; Nazarchuk, Bohdan; Rantala, Tapio T. (2023-04-15)

 
Avaa tiedosto
Ab_initio_study_of_the_energy_level.pdf (1.707Mt)
Lataukset: 



Golovanov, Viacheslav
Golovanova, Viktoria
Nazarchuk, Bohdan
Rantala, Tapio T.
15.04.2023

Applied Surface Science
156514
doi:10.1016/j.apsusc.2023.156514
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
https://urn.fi/URN:NBN:fi:tuni-202307147204

Kuvaus

Peer reviewed
Tiivistelmä
<p>Conditions for ab initio evaluation of the surface band alignment in slab models are critically reviewed. Based on the employed approach, we study the relative energy levels arrangement between aromatic dye and wurtzite semiconductor surface and its dependence on the coadsorption of the representative ligands. The obtained results demonstrate the energy level shifts mediated by surface chemistry at the interface. Predictable control of the electronic properties of organically modified semiconductor surfaces can be used as a versatile adjustable instrument in the performance optimization of optoelectronic devices.</p>
Kokoelmat
  • TUNICRIS-julkaisut [20143]
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Selaa kokoelmaa

TekijätNimekkeetTiedekunta (2019 -)Tiedekunta (- 2018)Tutkinto-ohjelmat ja opintosuunnatAvainsanatJulkaisuajatKokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste