Hyppää sisältöön
    • Suomeksi
    • In English
Trepo
  • Suomeksi
  • In English
  • Kirjaudu
Näytä viite 
  •   Trepo etusivu
  • Trepo
  • Väitöskirjat
  • Näytä viite
  •   Trepo etusivu
  • Trepo
  • Väitöskirjat
  • Näytä viite
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Studies of III-V Semiconductors: From Surface Reconstructions to Quantum Nanostructures

Pakarinen, Janne (2009)

 
Tweet refworks
 
Avaa tiedosto
pakarinen.pdf (5.321Mt)
Lataukset: 



Pakarinen, Janne
Tampere University of Technology
2009

Luonnontieteiden ja ympäristötekniikan tiedekunta - Faculty of Science and Environmental Engineering
This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.
Näytä kaikki kuvailutiedot
Julkaisun pysyvä osoite on
http://urn.fi/URN:NBN:fi:tty-200910286986
Tiivistelmä
In this Thesis, technologically important III-V semiconductors are studied. Structural and electronic properties of bismuth (Bi) stabilized InP(100) and GaAsN(100) are explored. Atomic models for the Bi-stabilized surfaces are proposed and differences in electronic properties are explained by the size effects. A similar “surface scientific view point” is adapted to molecular beam epitaxy growth of GaAs/AlAs quantum well structures, where the optimum growth parameters were found to depend on GaAs(100) and AlAs(100) surface reconstructions. The effect of beryllium doping on optical and structural properties of GaInAsN/GaAs quantum wells, GaInAs/GaAs quantum wells, and InAs/GaAs quantum dots are studied. It was found that Be had a tendency to passivate crystal defects and slightly lower threshold current densities of 980-nm diode lasers prepared in this work.
Kokoelmat
  • Väitöskirjat [4082]
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Yhteydenotto | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste
 

 

Selaa kokoelmaa

TekijätNimekkeetTiedekunta (2019 -)Tiedekunta (- 2018)Tutkinto-ohjelmat ja opintosuunnatAvainsanatJulkaisuajatKokoelmat

Omat tiedot

Kirjaudu sisäänRekisteröidy
Kalevantie 5
PL 617
33014 Tampereen yliopisto
oa[@]tuni.fi | Yhteydenotto | Tietosuoja | Saavutettavuusseloste